SI4567DY-T1-E3【PDF 1/1 页】MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

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型号	SI4567DY-T1-E3
厂商	Vishay Siliconix
描述	MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4567DY-T1-E3 PDF
代理商	SI4567DY-T1-E3
产品目录绘图	DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装	1
系列	TrenchFET®
FET 型	N 和 P 沟道
FET 特点	标准
漏极至源极电压(Vdss)	40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	4.1A，3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	60 毫欧 @ 4.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds	355pF @ 20V
功率 - 最大	1.85W，1.95W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装	8-SOICN
包装	标准包装
产品目录页面	1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	SI4567DY-T1-E3DKR

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